在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。
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对正性光刻来说,剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
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步进光刻机的三个基本目标是对准聚焦、曝光和合格产量。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。
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在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是()。
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曝光后烘焙,简称后烘,其对传统I线光刻胶是必需的。
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如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。
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最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?
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光刻包括两种基本的工艺类型:负性光刻和(),两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同,前者是(),后者是()。
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若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区,光刻时需要使用哪种光刻胶?为什么?并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
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在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。
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基片上光刻胶的厚度对后续的曝光没有影响
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