最大空间电荷区宽度
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将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（）。
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PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。
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PN结外加反向电压时，外力日电场的方向与自建电场的方向一致，使空间电荷区（），势垒加高。
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二极管两端加反向电压时，PN结的空间电荷区（）。
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空间电荷区形成之后，正负电荷的互相作用，在空间电荷区中产生了一个（）。
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空间电荷区宽度
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P型半导体与N型半导体的交界面处形成的空间电荷区叫做______。
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把N型和P型半导体有机结后在一起，通过扩散运动在交界处就形成了空间电荷区。（）
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隧道击穿主要取决于空间电荷区中的（）。
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PN结加正向电压时，空间电荷区将（ ），加反向电压时，空间电荷区将（ ）。
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PN结加反向电压时，空间电荷区变窄，因此电流很小，可以忽略
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◑PN结加正向电压时，空间电荷区将()。◑A.变窄◑B.基本不变◑C.变宽◑D.无法确定
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PN结空间电荷区是由（_ _ _)
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空间电荷区的正离子和负离子不可以复合（）
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【判断题】正向偏置电压使PN结空间电荷区窄，反向偏置电压使PN结空间电荷区变宽。
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一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时，空间电荷区将（）
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半导体的导电特性及PN结PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄（）
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【判断题】PN结加反向电压时，空间电荷区变窄，因此电流很小，可以忽略
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1、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（）
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以下关于MOS空间电荷区宽度的说法中，正确的是（）。
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7、PN结是在两种半导体交界面，由离子薄层形成的空间电荷区，因此PN结带电。
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15、PN结形成后，空间电荷区由 组成。
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18、PN结的空间电荷区的电荷有（）。