常温下，锗二极管导通后的正向电压约为______。
相似题目
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可控硅正向电压大于正向转折电压时，呈________状态。
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正常工作时，必须在控制极与阴极间加合适的触发电压使其导通，导通后的晶闸管特性与二极管的正向特性不同。
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锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
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二极管的正向平均电流超过最大整流电流时，管子将会_______。
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P N 结加正向电压时，P N 结 _ ____________ ；加反向电压时，P N 结截止 。这种特性称为P N 结的单向导电性。
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理想二极管在半波整流电路中，电阻负载时，承受的最大反向电压是 _____________ 。
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PN结具有（________）性能，即加正向电压时ＰＮ结（________） ，加反向电压时ＰＮ结（________） 。
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硅二极管正向导通电压为__ __伏，锗二极管正向导通电压为___伏。
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二极管导通后，正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为（ ），锗管的正向压降为（ ）
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P N 结两端加正向电压时，即P区接电源_ ____________ 极 。
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二极管P区接________高，低）电位端，N区接________（高，低）电位端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有________性。
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一般情况下，我们知道，导通后二极管两端电压变化很小锗管约为（)。
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晶体管是一个电流控制器件，表明正向控制能力的参数是_________和_________。场效应管是一个电压控制器件，表明正向控制能力的参数是_________。无论晶体管还是场效应管，在放大区工作时其电极之间的电压和电极电流只有_________变化，没有变化。
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普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般___;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____。 （）
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常温、静荷载作用下，材料的破坏形式与______有关。
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IGBT__之间只要施加正向电压且大于开启电压，IGBT就可以导通；只要施加反向电压IGBT就可以关断。 （摘自车辆检修工教材）（）
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交流发电机的整流二极管的正向电阻应在______Ω之间，反向电阻应在______KΩ以上。若正反向的电阻值均为零，说明二极管______;若正反向电阻均为无限大，说明二极管______。
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当二极管两端正向偏置电压大于__电压时，二极管才能导通（）
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硅二极管的死区电压约为__伏左右（）
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【填空题】对于稳压二极管,稳压时工作在____ 状态,但其两端电压必须____它的稳压值VZ才有导通电流,否则处于____状态。
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光气在常温下____？
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2、在常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约 V；
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芳香烃在常温下呈______。（单选)
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行胃酸分泌功能检查所用的刺激剂为_____________， 试验后的胃液总量约为_____________ml。