耗尽区
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禁食后机体肝糖原耗尽需要多少时间（）。
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符合贮铁耗尽的是（）
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当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）
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体内贮存铁耗尽的诊断包括（）
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YB45包装机内衬纸卷耗尽后，需打开内衬纸卷（），取下耗尽的内衬纸卷芯。
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人体禁食多长时间后肝糖原可以耗尽（）
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超筋梁的破坏是由于压区混凝土抗压强度的耗尽，钢材强度没有得到充分的发挥，因此超筋梁的极限弯矩Mu与钢材强度无关，仅取决于混凝土的抗压强度。
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某医院有一氧气罐匀速漏气，该氧气罐充满后同时供40人吸氧，60分钟后氧气耗尽，再次充满该氧气罐同时供60个人吸氧，则45分钟后氧气耗尽。 问如果该氧气罐充满后无人吸氧，氧气耗尽需要多长时间：
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禁食后，机体肝糖原耗尽需要多少时间（）。
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PN结探测器中的耗尽层是怎样形成的？耗尽层的存在与实现高能量分辨率有什么关系？
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不能保证蓄电池被耗尽的是（）。
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YB25/YB45包装机当运行中的右内衬纸卷盘快耗尽时则会显示“内衬纸右卷耗尽”故障。
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有毒气体检测仪电池电量耗尽会造成（）。
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耗尽型JFET
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集电结耗尽区渡越时间
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对于一个PN结，如果反偏电压降低，耗尽区宽度将减小。
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场效晶体管在可变电阻区工作时,D、S间可以看作是一个受UGs控制的可变电阻（RDs=UDs/ID)。今有一个N沟道耗尽型MOS管,在UDs=1V的条件下，当UGs分别为0 V,-1 V和-2 V时,ID分别为4 mA,2 mA和0.8 mA,试计算不同UGs时的RDS 。
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17、太阳能电池短路状态时，在耗尽区内的光生载流子受内建电场影响而分离，电子向P区漂移，空穴向N区漂移，产生由P区流向N区的漂移电流。
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一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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2、反向偏置的PN结，靠近耗尽层边界的中性区内会发生（）过程。
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25、P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
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26、N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS（off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
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在非稳态下，栅极电压越大时，耗尽区厚度就越大，从半导体界面处一直接延伸到半导体体内很深的地方
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