锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()
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硅PN结的正向导通电压约为().
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在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。
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硅二极管的正向导通电压一般是()V。
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硅管的正向导通电压约为0.7V.
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常温下,锗材料PN结正向导通电压为()左右。
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锗二极管正向导通电压为0.6~0.8V。
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晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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锗三极管发射结的正向导通电压为()。
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硅二极管的正向电压约为0.2V。()
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硅二极管正向导通电压为0.6~0.8V。
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晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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锗二极管正向导通电压应为()。
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发光二极管的工作电流一般为及至十几()之间,正向导通电压为0.5V~3V
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硅二极管正向导通电压为__ __伏,锗二极管正向导通电压为___伏。
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二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。
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普通小功率硅二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般___;普通小功率锗二极管的正向导通压降约为____,反向电流一般____。 ()
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二极管正向导通时,压降很小,硅管 0.2- 0.3V,锗管0.5- 0.7V。()
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硅元素二极管的导通电压约为();锗元素二极管的导通电压约为();
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发光二极管的工作电流一般为几毫安至十几毫安之间,正向导通电压为0.5V~3V。()
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锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
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晶体三极管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约0.7V,锗管发射结的导通电压约0.3V()
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4、发光二极管的正向导通电压一般在()V。
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硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V,锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
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