硅二极管的正向电压约为0.2V。（）

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• 硅二极管两端正向偏置电压大于（）时，二极管才能导通。

  A . 0V B . 0.5V C . 0.7V

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• 硅二极管的死区约为（）V左右。

  A . A、0.2 B . B、零 C . C、0.5 D . D、2

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• 当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）

  A . 小阻值电阻 B . 阻值很大的电阻 C . 内部短路 D . 接通的开关

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• 当硅二极管加上0、3V正向电压时，该二极管相当于（）。

  A . A、小阻值电阻 B . B、阻值很大的电阻 C . C、内部短路 D . D、断路

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• 硅二极管的型号为ZP100—8F，指的是其额定电流为100A，额定电压800V，正向平均电压（），（）的硅整流二极管。

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• 对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。

  A . A．0.7 B . B．0.5 C . C．0.2

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• 硅稳压二极管的正向电阻约为（）。

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• 硅二极管的死区电压一般为0.2V。

  A . 正确 B . 错误

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• 硅整流二极管在正向电压的作用下，电流由（）流通。

  A . 负极向正极 B . 正极向负极 C . 相互流动 D . 反向电

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• 硅二极管两端加上正向电压时（）。

  A . 立即导通 B . 若超过0.3V才导通 C . 若超过死区电才导道

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• 当硅二极管正向施加超过1V以上的电压时，则（）。

  A . 二极管电流增大 B . 二极管过流损坏 C . 二极管击穿 D . 二极管电流基本不变

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• 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。

  A . A、立即导通 B . B、到0.3V时才开始导通 C . C、超过死区电压时才开始导通 D . D、不导通

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• 硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。

  A . 0.3V B . 0.2V C . 0.5V D . 0.7V

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• 硅三极管两端加上正向电压时（）。

  A . 立即导通 B . 若超过0.3V才导通 C . 若越过死区电压就导通

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• 锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。

  A . 0.2 B . 0.3 C . 0.5 D . 0.7

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• 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。

  A．0．6 B．0．7 C．0．8 D．1．0

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• 图4.5.4所示RC桥式振荡电路中，R2=10k ， 电路已产生稳幅止弦波振荡，当输出电压达到正弦波峰值时，二极管的正向压降约为0.6V，试粗略估算输出正弦波电压的振幅值Uom。

  <img src='https://img2.soutiyun.com/ask/2020-06-30/962386532947764.png' />

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• 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（)

  A、立即导通 B、到0.3V才开始导通 C.、超过死区电压时才开始导通

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• 硅二极管的正向压降约为（）。（晶体管）

  A．0.2V B．0.7V C．0.9V D．1.2V

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• 当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）

  A．超过死区电压时才开始导通 B．不导通 C．立即导通

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• 当加在硅二极管两端的正向电压从0 V 开始逐渐增加时,硅二极管（）

  A．立即导通 B．到０ ． ３Ｖ才开始导通 C．超过死区压才开始导通 D．不导通

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• 2、在常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约 V；

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• 硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V，锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。（)

  是 否

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