N型半导体导电主要依靠的载流子是()。
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N型半导体多数载流子是()
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n型半导体主要由自由电子导电,p型半导体主要由()。
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子,但数量很少,导电能力差。在半导体中加入微量三价元素,使空穴增多,形成P型半导体;如掺入少量五价元素,使电子增多,形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___,N型半导体中多数载流子是___;多数载流子的运动称为___,少数载流子的运动称为___。
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P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。
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N型半导体主要靠()导电,P型半导体主要靠()导电。
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N型半导体多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。()
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单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。
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N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
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N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。
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N型半导体中的多数载流子是()。
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在P型半导体中多数载流子是(),在N型半导体中多数载流子是()。
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N型半导体主要是依靠()导电的半导体。
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N型半导体中,多数载流子是(),P型半导体中,多数载流子是()。
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N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半导体带负电。
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P型半导体主要依靠(________)载流子导电。
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P型半导体材料中 P型半导体材料中多数载流子是( ),N型半导体材料中多数载流子是( )。多数载流子是( ),N型半导体材料中多数载流子是( )。
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在本征半导体中掺微量的三价元素,就称为P型半导体,其多数载流子是空穴,少数载流子是(________),它主要依靠多数载流子导电。
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P(Positive) 型半导体主要依靠价带中的( )导电。
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N型半导体的载流子是
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因为N型半导体的多数载流子是自由电子,所以N型半导体带负电。
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一、单项选择(每题4分) 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体,以下说法错误的是()。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体,而小于导体 D. 一般来讲,材料的禁带宽度越大,导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级,则该半导体具体为()。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时,它的耗尽层宽度 ,势垒高度 ()。 A. 变宽,变小 B. 变窄,变大 C. 变窄,变小 D. 变宽,变大 4、 对于单边突变硅n+/p结,耗尽区主要分布在() A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结,下列说法错误的是() A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子,非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是()。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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半导体的导电特性及PN结P型半导体中少数载流子是()
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N型半导体的多数载流子是自由电子,因此N型半导体带负电。()
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7、在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。