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高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。与X线产生无关的因素是()
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高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线。X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱。下列叙述错误的是()
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高速运行的电子将靶物质原子中某层轨道电子击脱,形成空穴。此时,外层(高能级)轨道电子向内层(低能级)空穴跃迁,释放能量,产生X线,称为特征辐射。特征X线的波长由跃迁电子能量差决定,与高速运行电子的能量无关。高速电子的能量可决定能够击脱某壳层的电子。管电压在70kVp以下时,电子产生的动能不能把钨靶原子的K壳层电子击脱,故不能产生K系特征X线。有关特征X线的解释,错误的是()
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