10、当光照射光敏电阻,光线越强,光生电子-空穴对就越多,阻值就(),入射光消失,失去能量给予,电子-空穴对逐渐复合,阻值也逐渐恢复原值。
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用能量()禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
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一束光线照射到物质上时,物质的电子吸收了光子的能量而发生了相应的电效应现象叫做光电效应。
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光的独立传播定律是指当光自不同光源发出的光线沿不同方向在同一瞬间通过空间同一点时,各光线()。
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光电传感器的理论基础是光电效应。通常把光线照射到物体表面后产生的光电效应分为三类。第一类是利用在光线作用下(),这类元件有();第二类是利用在光线作用下()效应,这类元件有光敏电阻;第三类是利用在光线作用下(),这类元件有光电池、光电仪表。
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通常把光线照射到物体表面后产生的光电效应分为几大类。第一类是利用在光线作用下光电子逸出物体表面的()效应,这类元件有光电管、光电倍增;第二类是利用在光线作用下使材料内部电阻率改变的内光电效应,这类元件有光敏电阻;第三类是利用在光线作用下使物体内部产生一定方向电动势的光生伏特效应,这类元件有光电池、光电仪表。
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P型半导体和N型半导体均可制作光敏电阻,但是通常使用N型半导体材料,这是由于电子的()比空穴大。
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利用光生伏特效应制成的光敏元件主要有()
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光敏电阻是一种电阻值随外界光照强弱(明暗)变化而变化的元件,光越强阻值越小,光越弱阻值越大,用光敏电阻可以制作电子报晓鸡,光敏电阻是可变电阻。
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化学元素受到高能粒子照射时,如()电子被激发,形成空穴,则外层电子跃迁来填充时,就会产生特征X射线。
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当光照射到金属表面时,光的能量一部分被金属所吸收,另一部分则转换为金属表面中某些电子的能量。促使这些电子从金属表面逸出的现象,叫()。
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光电效应是指一束光线照射到物质上时,物质的电子吸收了光子的能量而发生了相应的电效应现象。
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当光照射到光滑材料表面时,发生();当光照射到粗糙的材料表面时,发生()。
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光敏三极管与普通三极管的主要区别是有光线照射时就能产生()。
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光线照射在某些物体上,引起电子从这些物体表面逸出的现象称为( )效应,也称光电发射。
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17、太阳能电池短路状态时,在耗尽区内的光生载流子受内建电场影响而分离,电子向P区漂移,空穴向N区漂移,产生由P区流向N区的漂移电流。
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试从图4-14求室温时杂质浓度分别为10<sup>15</sup>,10<sup>16</sup>,10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>的p型和n型Si样品的空穴和电子迁移率,并分别计算它们的电阻率。再从图4-15分别求它们的电阻率。
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用波长为0.83μm,强度为3mW的光照射在硅光电池,设其反射系数为15%,量子效率为1,并设全部光生载流子能到达电极。 (1)求光生电流; (2)当反向饱和电流为10-8A时,求T=300K时的开路电压。
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通过挤压某种物质产生电压的方法是();当光照射在一种物质的表面上,光能可以从物质表面的原子中激发出电子,这样产生电压的现象称为()
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若电子和空穴的浓度分别为n、p,迁移率分别为μn、μp,则半导体的电导为:σ=q()因为n、p、μn、μp都是依赖(),所以电导是温度的函数,因此可由测量电导而推算出温度的高低,并能做出电阻-温度特性曲线.这就是半导体热敏电阻的工作原理
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4、1. 描述了光照射到电池的某个区域产生的载流子被pn结收集并参与到电流流动的概率,它的大小取决于光生载流子需要运动的距离和电池的表面特性。
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光催化是当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后,电子从价带跃迁到导带,产生了电子-空穴对,电子具有(),空穴具有()。
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有一块半导体材料的寿命是lus,无光照的电阻率是10Ω·cm。今用光照射,光被半导体均匀吸收,电子-空穴的产生率是10<sup>22</sup>cm<sup>-3</sup>·s<sup>-1</sup>,试计算光照下样品的电阻率,并求电导中少数载流子的贡献占多少比例?
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3、(a)p型砷化镓半导体在T = 300 K时的电导率为σ=5/(Ω-cm),求热平衡时的电子和空穴浓度;(b)对电阻率为ρ = 8 Ω-cm的n型硅,重新计算(a)。
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