半导体中的电子数大于空穴数。
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在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关
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P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
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半导体中的空穴和自由电子数相等，这样的半导体称为（）。
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半导体中的自由电子和空穴的数量相等，这样的半导体叫做（）。
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N型半导体中，电子比空穴（）
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半导体中的电流是电子电流和空穴电流之和。
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N型半导体中，电子数目少于空穴数目，其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中，电子数目多于空穴数目，其导电能力主要由电子决定。
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P型半导体空穴数远多于自由电子数。
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如果温度升高，半导体的自由电子数将（）
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P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
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自由空穴浓度大于自由电子浓度的半导体是（）型半导体
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本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的，同时产生的。（）
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本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。（）
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半导体自由电子数远多于空穴数称为电子型半导体，简称N型半导体。
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如果受到光照，半导体的自由电子数将增加，电阻值将（）。
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半导体中的自由电子和空穴的数目相等，这样的半导体叫做（）。
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半导体激光发光是由（ ）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发 到非平衡状态的激发态。
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1、本征半导体中的自由电子和空穴数量是相等的。
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已知MOS结构的硅衬底费米势大于0，则该材料中的电子浓度大于空穴浓度
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半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称（）。（晶体管）
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4、金属材料自由电子浓度很高，输出电压较小，不易做霍尔元件。半导体材料较适合，一般情况下，由于电子迁移率大于空穴迁移率，因此霍尔元件多用N型半导体材料。
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本征半导体中的自由电子浓度 _空穴浓度（）
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光催化是当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后，电子从价带跃迁到导带，产生了电子－空穴对，电子具有（)，空穴具有（)。
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