半导体激光发光是由( )之间的电子-空穴对复合产生的,激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发 到非平衡状态的激发态。
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在P型半导体中掺入微量的()等元素后,半导体中就会产生许多缺少电子的空穴。
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“电子――空穴对”是如何产生的?
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如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央,则它对电子的俘获率()空穴的俘获率。
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P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。
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光源的种类有半导体激光器和发光二极管()种。
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半导体中空穴电流是由()所形成的。
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N型半导体中,电子数目少于空穴数目,其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中,电子数目多于空穴数目,其导电能力主要由电子决定。
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要使LED发光,有源层的半导体材料必须是直接带隙材料,越过带隙的电子和空穴能够直接复合而发射出光子。
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半导体中的电子数大于空穴数。
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太阳光的光子在电池里激发电子空穴对,电子和空穴分别向电池的两端移动,如果外部构成通路,就形成电流,产生电压。
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半导体探测器具有非常好的能量分辨率特性和较高的本征探测效率,它的载流子是“电子――空穴对”。哪么产生一个“电子-空穴对”需要的平均电离能是多少?法诺因子的范围是多少?
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本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的,同时产生的。()
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本征半导体中的自由电子和空穴是成对出现的。()
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自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
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P型半导体中,自由电子的数目少于空穴的数目,其导电能力主要由空穴决定,所以称为()型半导体。
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P型半导体又叫(_ _ _)型半导体,它是由本征材料掺入少量的某种化合价为3价的元素制成的,其中多数载流子为空穴,少数载流子为自由电子
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半导体激光器用LED表示,半导体发光二级管用LE表示。此题为判断题(对,错)。
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本征半导体中,电子和空穴的浓度相等()
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13、为什么说发光二极管的发光区在PN结的P区?这与电子、空穴的迁移率有关吗?
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10、当光照射光敏电阻,光线越强,光生电子-空穴对就越多,阻值就(),入射光消失,失去能量给予,电子-空穴对逐渐复合,阻值也逐渐恢复原值。
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光催化是当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后,电子从价带跃迁到导带,产生了电子-空穴对,电子具有(),空穴具有()。
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()是电流流过发光体使之炽热发光的热辐射光源;()是填充气体内含有部分卤族元素或卤化物的充气白炽灯;()是利用低压汞蒸气放电产生的紫外线激光发涂在灯管内壁的荧光粉而发光的电光源。(),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光。
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8、自由电子-空穴对在本征半导体中是成对出现的。
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17、OLED,即有机电致发光器件,目前被广泛应用于照明和薄膜显示中,其结构是薄膜结构,由高反射(可认为光强反射率为100%)的阴极、有机发光层(折射率为1.6)和透明阳极(ITO,折射率为1.8)组成,设各个层对有机层发射的光都不吸收,各层都是均匀薄膜,电子和空穴在发光层复合发光,发光沿各个方向均匀。器件的出光效率为()
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