在高密度机箱中安装的CU少于4个时，所有未安装CU的槽位都须将钮子开关设在“NO”（端接）位置上。
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关于高密度机箱中CU的安装，下面说法正确的是（）
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II型信道单元和III型信道单元（）安装在高密度机箱中，III型信道单元（）安装在II型机箱中。
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安装CU子卡FIM和ICM时，按跳线方式安装在CU母板上。
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在高密度机箱中安装的CU少于（）个时，所有未安装CU的槽位都须将钮子开关设在“NO”（端接）位置上。
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在机箱中安装CU之前，（）
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密度计中安装的滤色片颜色通常和所测油墨的颜色呈补色。
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TES卫星通信系统远端站中II型和III型CU板配高密度机箱或（）机箱。
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在管路中安装的节流件（）于管路中心轴安装。
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你在使用双重引导配置将Windows2000Professional和Windows98安装到同一计算机上在安装完Windows2000后，你意识到在Windows98中安装的所有应用程序在Windows2000都不能使用下面哪个是你应该做的（）
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在II机箱中安装的CU少于4个时，所有未安装CU的槽都须将跳接块设在（）
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中国民航C波段卫星通信网络中使用的是高密度HDC机箱最多可装载（）块CU（Channel Unit）板。
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某轮计算渗透率时，查得货物积载因数为1．861cu・m／t，货物密度为0．596t／cu・m，则该舱的渗透率μ为（）％。
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II型信道单元（）安装在高密度机箱中，III型信道单元（）安装在II型机箱中。
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怎样在TES卫星二代机箱中安装CU板？
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TES站是单独的机箱（II型机箱），应该如何设置该机箱的终端跳接块？如何进行TES机箱的开、关机和CU板的复位？
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TESII型机箱最多可装（）块CU板。
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II型信道单元和III型信道单元可混合安装在高密度机箱中。
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[Cu(en)2]2+的稳定性比[Cu(NH3)4]2+大得多,主要原因是前者
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在配离子稳定性比较中，[Cu(NH3)4]2+ > [Cu(en)2]2+。
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已知 ： E Θ (Cu(NH 3 ) 4 2 ＋ /Cu) = 0.03 V ， E Θ (Cu 2 ＋ /Cu) = 0.337 V ，则 K 稳 (Cu(NH 3 ) 4 2 ＋ ) 是（ ）
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[Cu（NH3)4]（OH)2中，配位体是（)。A.Cu2 +B.OH-C.NH3D.[Cu（NH3)4]2+
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已知电极反应 Cu2＋ ＋ 2 e－ ＝ Cu 的 EΘ 为 0.347 v ，则电极反应： 2 Cu － 4 e－ ＝ 2 Cu2＋ 的 EΘ 值为
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某轮计算渗透率时，查得货物积载因数为1．861cu？m／t，货物密度为0．596t／cu？m，则该舱的渗透率μ为（）％
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有一黄铜合金含Cu75%，Zn25%（质量)，晶体的密度为8.5gcm<sup>-3</sup>，晶体属立方面心点阵结构，晶胞中含4个原子。Cu的相对原子质量63.5，Zn为65.4。（1)求算Cu和Zn所占的原子百分数;（2)计算每个晶胞中含合金的质量;（3)计算晶胞体积;（4)计算统计原子的原子半径。
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