硅管()的开启电压是 伏 ,锗管的 正向导通压降是 伏
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硅管的死区电压为05V,锗管的死区电压为()
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硅管的死区电压约为()。
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二极管当中,硅管的开启电压约为()v,错管约为()v。
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区分硅管和锗管是通过测量BE结的()。
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硅管的正向导通电压约为0.7V.
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二极管真正导通后,锗管的电压约为()V。
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硅管的正向电压为0.2V。
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硅管与锗管的死区电压分别为()。
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锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。
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用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降,硅管的正向压降一般为0.2—0.4V,锗管正向压降,一般为0.5—0.8V。()
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常温下二极管的门限电压或阀电压,硅管一般为()左右,锗管为()左右。
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硅管的正向电压为()V。
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硅二极管正向导通电压为__ __伏,锗二极管正向导通电压为___伏。
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二极管导通后,正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为( ),锗管的正向压降为( )
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二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。
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通常硅管的死区电压约为()
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二极管正向导通时,压降很小,硅管 0.2- 0.3V,锗管0.5- 0.7V。()
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锗管正向导通时,其管压降约为
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3、硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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二极管主要特性是具有单向导电性,当正向导通时,硅管的电压降约为()
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在如图所示电路中,已知,硅稳压管的稳定电压为6V,正向导通压降为0.6V,运放为理想运放,则输出电压为下列何值()
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设图8.2.17中各集成运放的最大输出电压+U<sub>OPP</sub>=±12V,稳压管的稳定电压U<sub>Z</sub>=6V,稳压管和二极管的正向导通电压U<sub>0</sub>=0.7V。
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1、晶体管电流方程为指数特性, 即使电流变化很大, 结电压UBEQ却变化很小, 故算直流工作点时, UBEQ可用一估算值来代替, 一般硅管为0.7V, 锗管为0.3V
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