硅管的死区电压为05V,锗管的死区电压为()
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硅管的死区电压约为()。
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二极管当中,硅管的开启电压约为()v,错管约为()v。
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二极(硅)管的死区电压为()。
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在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。
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二极管真正导通后,锗管的电压约为()V。
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锗材料二极管的死区电压为()V。
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硅管的正向电压为0.2V。
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硅管与锗管的死区电压分别为()。
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锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。
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用数字万用表测量管子基极和发射极PN结的正向压降,硅管的正向压降一般为0.2—0.4V,锗管正向压降,一般为0.5—0.8V。()
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硅二极管的死区电压一般为()伏。
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常温下二极管的门限电压或阀电压,硅管一般为()左右,锗管为()左右。
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硅管的正向电压为()V。
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硅材料二极管的死区电压为()V。
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从输入特性曲线上看,硅管的死区电压约为().
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锗管死区电压()
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二极管的主要特性是 ,硅二极管的死区电压约 V,锗二极度管的死区电压约 V。
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二极管导通后,正向电流与正向电压呈( ), 硅管的正向压降为( ),锗管的正向压降为( )
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通常硅管的死区电压约为()
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硅管()的开启电压是 伏 ,锗管的 正向导通压降是 伏
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普通锗二极管的死区电压为( )。
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3、硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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硅二极管死区电压为()V。
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