硅材料二极管的死区电压为()V。
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硅二极管的死区约为()V左右。
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当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时,该晶体二极管相当于()
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二极(硅)管的死区电压为()。
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硅二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
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对于硅三极管,发射极的死区电压约为()V。
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硅二极管的死区电压一般为0.2V。
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硅二极管的过渡区电压大致在()V。
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在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
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锗材料二极管的死区电压为()V。
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硅二极管的死区电压一般为()伏。
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硅二极管的死区电压约为()。
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硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?
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硅二极管的正向电压约为0.2V。()
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硅半导体二极管的死区电压约为()。
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硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V。
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在二极管两端加上正向电压时,电流与电压的关系正向特性。通常硅管为()V。
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二极管的主要特性是 ,硅二极管的死区电压约 V,锗二极度管的死区电压约 V。
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二极管正向导通时的正向电压值称为管压降,一般小功率硅管的管压降可为()V。
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硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏
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硅二极管的死区电压约为__伏左右()
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当加在硅二极管两端的正向电压从0 V 开始逐渐增加时,硅二极管()
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在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
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在25oC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流IS...
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硅二极管死区电压为()V。
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