硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏
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硅二极管的死区约为()V左右。
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二极(硅)管的死区电压为()。
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硅二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
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晶体三极管一般采用硅平面和锗平面工艺结构,两者的结构和工作原理不一样。()
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硅二极管的死区电压一般为0.2V。
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硅和锗三极管的门电压不同,分别为()伏。
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绘图题:请划出硅和锗两种二极管的伏安特性曲线。
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在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
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采用硅和锗材料的雪崩光电二极管的响应波长范围分别为0.5~1.5μm和1~1.5μm
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硅二极管的死区电压一般为()伏。
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硅二极管的死区电压约为()。
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硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?
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硅半导体二极管的死区电压约为()。
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某单相半波整流电路,若变压器次级电压U2=100V,则负载两端电压及二极管承受的反向电压分别是()。
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硅材料二极管的死区电压为()V。
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绘图题:请划出硅和锗两种二极管伏安特性曲线。
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按制作材料,晶体二极管可分为硅管和锗管。
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二极管的主要特性是 ,硅二极管的死区电压约 V,锗二极度管的死区电压约 V。
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三极管按其制作材料分为硅管和锗管。此题为判断题(对,错)。
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硅二极管的死区电压约为__伏左右()
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在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
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测得NPN三极管的三个电极电压分别是UB=0.9V,UE=0.2V,UC=9V,该三极管处于
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鉴别硅管和锗管时,可用数字万用表的二极管挡直接进行测量判断。硅管为0.7V左右;锗管为V左右()
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硅二极管死区电压为()V。
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