普通锗二极管的死区电压为( )。
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二极管伏安特性曲线上有一个死区电压,什么是死区电压?
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锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。
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二极(硅)管的死区电压为()。
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在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
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硅二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
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半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。
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硅二极管的死区电压一般为0.2V。
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硅和锗三极管的门电压不同,分别为()伏。
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锗材料二极管的死区电压为()V。
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锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。
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硅二极管的死区电压一般为()伏。
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硅二极管的死区电压约为()。
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锗二极管的过渡区电压大致在()。
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当二极管所加电压很低时,正向()非常小,属于弱导通状态,通常称这个区域为死区。
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硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?
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硅材料二极管的死区电压为()V。
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当二极管外加的正向电压超过死区电压时,电流随电压增加而迅速()。
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二极管的主要特性是 ,硅二极管的死区电压约 V,锗二极度管的死区电压约 V。
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一般情况下,我们知道,导通后二极管两端电压变化很小锗管约为()。
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常温下,锗二极管导通后的正向电压约为______。
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硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏
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当二极管外加的正向超过死区电压时,电流随电压增加而迅速()
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要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压()
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硅二极管死区电压为()V。
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