对半导体探头特点的错误描述是()

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• 有关功率半导体器件的工作特点不正确的描述是（）。

  A . 功率半导体器件通常处于开关状态 B . 导通管压降低 C . 漏电流很大 D . 管子导通时，相当于短路

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• 对半导体的叙述正确的是（）。

  A . A、半导体即超导体 B . B、半导体即一半导电一半不导电 C . C、半导体是导电能力介于导体和绝缘体之间的物质 D . D、半导体是经过处理的绝缘体

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• 对半值层的描述错误的是（）

  A . A.可以表示X射线质 B . B.即HVL C . C.可以用mmAl表示 D . D.反映了X线束的穿透能力 E . E.对同一物质来说，半值层大的X线质软

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• 对半导体探头特点的错误描述是()

  A . A．灵敏度高 B . B．灵敏体积小 C . C．适合测量剂量梯度变化大的区域 D . D．头偏压低 E . E．物理稳定性好

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• 半导体管图示仪在对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。

  A . 性能参数 B . 转移特性 C . 内部性能 D . 特性曲线

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• 对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于（）

  A . 放大状态 B . 截止状态 C . 饱和状态 D . 无法确定 E . 导通状态

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• 当关掉电源后，对半导体存储器而言，下列叙述正确的是（）。

  A . RAM的数据不会丢失 B . ROM的数据不会丢失 C . CPU中数据不会丢失 D . ALU中数据不会丢失

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• 通过对半导体激光器采用（）来获得调制光信号

  A . A、外调制 B . B、直接调制 C . C、相位调制 D . D、电光调制

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• 如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是（）

  A . 禁带变宽 B . 少子迁移率增大 C . 多子浓度减小 D . 简并化

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• 以下哪一个是对半抗原的正确描述（）

  A . 只有和载体结合后才能和抗体分子结合 B . 是大分子 C . 是多肽 D . 没有免疫原性 E . 只能诱生体液免疫应答

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• 半导体的需求主要依赖于（）和（）的增长，而间接需求即生产过程中对半导体的需求更是需求的主要来源。

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• 半导体管图示仪对半导体器件进行测量的同时，在示波管屏幕上可显示出各种半导体器件的（）。

  A . 性能参数 B . 转移特性 C . 内部性能 D . 特性曲线

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• 对半导体二极管加（）时耗尽层变厚。

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• 光照对半导体的导电性能的影响（）。

  A . 很小； B . 很大； C . 不大； D . 无。

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• 当对半导体二极管外加正向电压时（），外加反向电压时（）。

  A . 导通；导通 B . 导通；截止 C . 截止；导通 D . 截止；截止

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• 为了制造性能良好的太阳电池，必须对半导体材料的理化特性加以选择，请问有哪几种物理特性需要着重考虑？

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• 以下对半导体材料特征描述正确的是

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• 直流快速自动开关一般是单极的，主要用来对半导体元件作（)保护。

  A．过载 B．欠压 C．短路 D．断路

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• 连接超声波探伤仪和探头的电缆，是由一层导体将另一根带绝缘层的导线包在中心，这种电缆称呼错误的是（）

  A．BX电缆 B．导线管 C．同轴电缆 D．超声传导电缆

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• 下列选项有关功率半导体器件的工作特点,不正确的描述是()。

  A．功率半导体器件处于开关状态 B．导通管压降低 C．漏电流很大 D．管子导通时，相当于短路

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• 目前世界各国对半导体芯片的保护主要集中在（)。

  A．A.集成电路的布图设计 B．B.集成电路的构形 C．C.集成电路的制造工艺 D．D.集成电路的外观技术

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• 对半导体而言,其正确的说法是（).（1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2)y型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.（3)P型半导体和N型半导体本身都不带电.

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• 说明在纯Ge、Si中掺入III族或V族元素后，对半导体导电性能有何重大影响？

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