离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
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为了消除静电的危害，采取的静电中和法主要有（）离子流中和器。
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虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再用杂质扩散来制作pn结，取而代之的是离子注入。
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离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格，高温退火过程能使硅片中的损伤部分或绝大部分得到消除，掺入的杂质也能得到一定比例的电激活。
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离子注入中高能量意味着注入硅片更深处，低能量则用于超浅结注入。
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离子注入的主要气体源中，易燃、易爆的有（）。
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离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。
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在晶片制造中，有两种方法可以向硅片中引入杂质元素，即热扩散和离子注入。
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油田注入水主要水质标准是铁离子
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非离子型洗涤剂：主要缺点是它有（）。
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飞机放电刷的主要使用目的是释放（） a、飞机复合材料与空气摩擦产生的静电 b、机身与带电空气离子、潮湿颗粒摩擦产生的雷雨静电 c、雷电 d、天线表面电流
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在注入井管柱中，主要防止（）离子和节流现象的发生。
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蒸馏水的缺点是蒸汽易带出挥发性离子杂物，且不能完全除去水中的（）。
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光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。
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有机化合物在电子轰击离子源中产生的离子有（）。
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在电子轰击下，样品分子可能形成离子的途径有（）
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离子注入的主要气体源中，剧毒的有（）。
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半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
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活性斑点区是指带电质点（电子和离子）集中轰击的部位，而且把电能转为热能。
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在离子化区，样品蒸气分子受电子流的轰击，失掉1个电子成为分子离子，最易失去的电子是（)。
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两极间接上射频电源后，两极间等离子体中的正离子轰击靶材、溅射出靶材原子从而沉积在基板表面成膜的技术是（）
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掌握质谱解析的相关知识对质谱结果的分析是重要的。关于分子离子的叙述错误的是A、在电子轰击下，有机物分子失去一个电子所形成的离子叫分子离子
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简述气相色谱-质谱联机法中电子轰击离子源的主要优缺...
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判断 当分子离子峰的稳定性较低时,可以通过增加轰击电压,使分子离子峰强度增强。（)
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油田注入水主要水质标准是铁离子<（）mg/L。A. 0.1B. 0.5C. 1.0D. 1.5
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