电力场效应管MOSFET（）现象。

相似题目

• 电力场效应管适用于（）容量的设备。

  A . A、高速大 B . B、低速大 C . C、高速小 D . D、低速小

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• 电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。

  A . 正确 B . 错误

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• 电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。

  A . 正确 B . 错误

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• MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；

  A . 具有非常高的输入电阻； B . 具有非常小的输入电阻； C . 具有单向导通特性；

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• 电力场效应管MOSFET是理想的（）控制器件。

  A . A、电压 B . B、电流 C . C、电阻 D . D、功率

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• 绝缘栅双极晶体管具有（）的优点。A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管

  A . A、晶闸管 B . B、单结晶体管 C . C、电力场效应管 D . D、电力晶体管和电力场效应管

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• 电力晶体管GTR；可关断晶闸管（）；功率场效应晶体管MOSFET；绝缘栅双极型晶体管IGBT；IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

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• 场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；

  A . 绝缘型； B . IGBT型； C . 稳压型；

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• IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。

  A . 结构复杂 B . 复合 C . 全控型 D . 电压驱动式

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• 电力场效应管是理想的电流控制器件。

  A . 正确 B . 错误

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• 电力场效应管MOSFET是（）器件。

  A . A、双极型 B . B、多数载流子 C . C、少数载流子 D . D、无载流子

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• 电力场效应管是理想的（）控制型器件。

  A . 电压 B . 电流 C . 电阻 D . 功率

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• 电力晶体管的开关频率（）电力场效应管。

  A . A、稍高于 B . B、低于 C . C、远高于 D . D、等于

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• 电力场效应管是如下哪一个。（）

  A . IGBT B . GTO C . MOSFET D . IGCT

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• 绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。

  A . A、稍高于 B . B、低于 C . C、等于 D . D、远高于

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• 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。

  A . A、高 B . B、相同 C . C、低 D . D、不一定高

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• 电力场效应管指的是（）。

  A . MOSFET B . GTO C . IGBT D . GTR

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• 调速的电力电子元件目前应用的主要有晶闸管和IGBT（绝缘栅场效应管）。

  A . 正确 B . 错误

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• 【填空题】写出对应的全控器件的英文缩写：门极可关断晶闸管___________，绝缘栅极型场效应管____________，绝缘栅双极晶体管___________ 答案: GTO ■ MOSFET ■ IGBT

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• 场效应晶体管是一种重要的开关器件，在数字电路中，常用（_ _ _)MOSFET

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• 电力场效应管MOSFET适宜于在（)条件下工作。

  A、直流 B、低频 C、中频 D、高频

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• 电力场效应管MOSFET容易引起静电击穿的原因是（）

  A．输入阻抗大 B．输入阻抗小 C．输出阻抗大 D．输出阻抗小

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• 电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（C）（）

  A．时间久而失效 B．二次击穿 C．静电击穿 D．饱和

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