电力场效应管MOSFET容易引起静电击穿的原因是()
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电力场效应管MOSFET()现象。
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电力场效应管适用于()容量的设备。
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电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
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电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
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MOSFET管的全称是金属-氧化物-半导体场效应管,其最重要的特点是();
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电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。
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绝缘栅双极晶体管具有()的优点。A、晶闸管B、单结晶体管C、电力场效应管D、电力晶体管和电力场效应管
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电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。
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场效应管极易被感应电荷击穿,因而不能用三用表进行检测,而要用()仪进行检测。
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静电感应场效应管SIT是一种结型场效应管,属于()
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电力场效应管是理想的电流控制器件。
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电力场效应管MOSFET是()器件。
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电力场效应管是理想的()控制型器件。
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电力晶体管的开关频率()电力场效应管。
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电力场效应管是如下哪一个。()
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场效应管闪烁噪声是由于()而引起的。
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对于场效应电子器件(场效应管、()),为防止静电击穿或静电寄存,在没有采取防静电措施时不要触摸它。
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功率场效应管漏极伏安特性可分为放大区、饱和区和击穿区
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场效应管极易被感应电荷击穿,因而不能用三用表进行检测,而要用()仪器进行检测。
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【判断题】小功率场效应管应注意击穿电压、最大耗散功率和漏极电流等参数。
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场效应管极易被感应电荷击穿,因而不能用三用表进行检测,而要用专用测试仪进行检测。此题为判断题(对,错)。
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电力场效应管MOSFET适宜于在()条件下工作。
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电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止(C)()
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