MOSFET管的全称是金属-氧化物-半导体场效应管,其最重要的特点是();
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电力场效应管MOSFET()现象。
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场效应管的主要参数有()等。
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场效应管的三个电极分别是()、源极和栅极。
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电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。
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电力场效应管MOSFET是理想的电压控制器件。
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结型场效应管的类型有()。
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MOS场效应管的英语缩写是()。
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绝缘栅场效应管的栅极与源极和()之间是完全绝缘的。
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半导体三极管与场效应管的一重要区别是什么?
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电力场效应管MOSFET是理想的()控制器件。
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场效应管的工作原理是利用栅极电压对()电流的控制作用来作为放大器件。
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电力场效应管MOSFET是()器件。
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场效应管噪声的主要来源是(),一般情况下场效应管的噪声比晶体管的要小。
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以下哪些是功率场效应管的特点()。
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额定栅源电压是功率场效应管的额定电压。
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场效应管噪声的主要来源是(),一般情况下场效应管的噪声比晶体三极管要()
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手机中的晶体管与场效应管的颜色绝大多数是()。
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场效应管的放大功能是依赖于()实现的.
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场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值愈大,场效应管的控制能力愈强。
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电力场效应管MOSFET适宜于在()条件下工作。
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电力场效应管MOSFET容易引起静电击穿的原因是()
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电力场效应管MOSFET在使用和存放时,要防止(C)()
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开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。
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场效应管的最主要特性是()
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