3、晶体管的图形符号中,箭头指示了发射极位置及发射结正偏时发射极电流的方向
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高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结()。
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为了使晶体管在放大器中正常工作,需要发射结外加()电压,集电结外加()电压。
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“PNP”和“NPN”符号中的箭头方向是发射结正向偏转时的方向。
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NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同,这个箭头是代表发射结在正向连接时的()方向。
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晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。
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对于NPN型晶体管共发射极电路,当增大发射结偏置电压Ube时,其输入电阻也随之增大。
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在晶体三极管放大电路中,晶体三极管的发射结上加上正向电压,集电结加反向电压。
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晶体管工作在放大区时,发射结处于()。
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当晶体管发射结正偏,晶体管工作在放大区。()
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在晶体管放大电路中,发射结加的反向电压,集电极加的是正向电压。
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普通晶体管用作放大时,输入端发射结保持为()。
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晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结正向偏置。
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当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为()。
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单结晶体管的图形符号中有()发射极。
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晶体管工作在饱和状态时,发射结反偏。( )
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当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为
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右图中箭头表示三极管发射结正偏时的()方向。
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当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )。
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晶体管符号中的箭头表示发射结导通时电流的方向。()
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晶体三极管图形符号中的箭头表示二极管的电流方向。()
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3、晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为()。
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