什么是半导体的共掺杂?
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说明费米能级的物理意义,根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度,如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
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解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
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半导体掺杂
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如果对半导体进行重掺杂,会出现的现象是()
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半导体有三个主要特征()、()和掺杂特征。
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P是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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在半导体中掺人微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。
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对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会()。
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对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近Ei。
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半导体有三个主要特性:()热敏特性、掺杂特性。
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硼是VA族元素,其掺杂形成的半导体是P型半导体。
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即掺杂浓度大,扩散电流大;掺杂浓度小,扩散电流小。
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12、半导体的掺杂浓度越高,其费米能级的位置也越高
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在一定温度下,半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方,而与掺杂无关。
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掺杂半导体根据掺杂类型不同又分为哪两种?
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6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即掺杂浓度大,扩散电流大;掺杂浓度小,扩散电流小。
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