掺杂在半导体生产中的作用有哪些？
相似题目
-
半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？
-
说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
-
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
-
解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
-
半导体掺杂
-
对于同时存在一种施主杂质和一种受主杂质的均匀掺杂的非简并半导体，在温度足够高、ni>>/ND-NA/时，半导体具有（）半导体的导电特性。
-
如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高，为什么？
-
半导体有三个主要特征（）、（）和掺杂特征。
-
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。
-
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
-
在一块半导体晶片上采取一定的掺杂工艺，使两边分别形成P型和N型半导体，那么在这两种半导体的交界处会形成一层很薄的层，称为（）。
-
什么是半导体的共掺杂？
-
光导体在静电复印机中的作用是什么？常见的光导体材料有哪些？
-
半导体有三个主要特性：（）热敏特性、掺杂特性。
-
掺杂、改变温度和光照激发均能改变半导体的电导率，它们之间有何区别？试从物理模型上予以说明。
-
本征半导体（纯半导体）的Eg小于掺杂质半导体
-
半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。
-
扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
-
◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
-
在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
-
半导体材料受到应力作用时，其电阻率会发生变化，这种现象称为（）。其是因在外力作用下，原子点阵排列发生变化，导致载流子迁移率及浓度发生变化而形成的，由于半导体（如单晶硅）是各向异性材料，因此它的效应不仅与掺杂浓度、温度和材料类型有关还与晶向（晶面的法线方向）有关。
-
1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
-
掺杂半导体根据掺杂类型不同又分为哪两种？
-
6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。