平衡载流子和非平衡载流子

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• 在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• 在平衡p-n结中，由内件电场VD作用下形成的漂移电流等于载流子浓度差形成的扩散电流，而使p-n结中的静电流为零。

  A . 正确 B . 错误

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• 平衡型的机械密封和非平衡型的机械密封的密封系数是：非平衡型β＜1；平衡型β≥1。

  A . 正确 B . 错误

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• 平衡式、部分平衡式和非平衡式机械密封有何区别？

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• 一块半导体寿命τ=15µs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。

  A . A.1/4； B . B.1/e； C . C.1/e2； D . D.1/2

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• 测试非平衡少数载流子数目的方法？

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• 平衡型和非平衡型机械密封是根据（）两侧端面上介质引起的轴向力平衡程度划分的。

  A . 动环 B . 静环 C . 动轴封 D . 静轴封

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• 三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。

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• 对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。

  A . A.非平衡载流子浓度成正比； B . B.平衡载流子浓度成正比； C . C.非平衡载流子浓度成反比； D . D.平衡载流子浓度成反比。

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• 在半导体中掺金是为了使非平衡载流子的寿命增加。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 平衡载流子浓度

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• 非平衡载流子

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• 自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。

  A . 正确 B . 错误

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• 非平衡载流子的产生

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• 使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。

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• P型半导体材料中 P型半导体材料中多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。多数载流子是（ ），N型半导体材料中多数载流子是（ ）。

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• 半导体激光发光是由（ ）之间的电子-空穴对复合产生的，激励过程是使半导体中的载流子从平衡状态激发 到非平衡状态的激发态。

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• 在恒定光照产生非平衡载流子时，即使存在复合率，体系最终的非平衡载流子浓度也可以达到一稳定值。

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• 平衡计分卡力图平衡财务指标和非财务指标

  A、正确 B、错误

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• 在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。

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• 在N 型半导体中 是多数载流子， 是少数载流子。

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• 平衡载流子浓度（名词解释)

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• 非平衡载流子的产生（名词解释)

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• 为什么说扩散运动是多数载流子的运动，漂移运动是少数载流子的运动？为什么说扩散运动是多数载流子的运动，漂移运动是少数载流子的运动？

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