光刻技术

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• 光刻

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• 对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。

  A . 正确 B . 错误

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• 在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

  A . DQN B . CA C . ARC D . PMMA

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• 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

  A . 正确 B . 错误

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• 试述光刻加工的主要阶段？

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• 什么是光刻？光刻的主要流程有哪些？

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• 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。

  A . 正确 B . 错误

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• 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

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• 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

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• 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。

  A . 正确 B . 错误

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• 光刻中采用步进扫描技术获得了什么好处？

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• 什么是正光刻胶，负光刻胶？

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• 若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg

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• 光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。

  A . 正确 B . 错误

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• 微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

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• 什么是负性光刻？正性光刻？

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• 何为分辨率、对比度、IC制造对光刻技术有何要求？

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• 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

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• 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

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• 3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。

  A．灵敏度 B．分辨率 C．粘附性 D．抗蚀性

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• 15、光刻技术的三大要素是： 。

  A．曝光机 B．掩膜版 C．显影液 D．光刻胶

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• 5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？

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• 16、光刻的工艺要求是： 。

  A．图形完整，尺寸准确 B．套准对准，套准精度高 C．表面干净 D．具有一定的工艺宽容度

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