3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。

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• 对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。

  A . 正确 B . 错误

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• 在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

  A . DQN B . CA C . ARC D . PMMA

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• 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

  A . 正确 B . 错误

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• 有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。

  A . 负胶受显影液的影响比较小 B . 正胶受显影液的影响比较小 C . 正胶的曝光区将会膨胀变形 D . 使用负胶可以得到更高的分辨率 E . 负胶的曝光区将会膨胀变形

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• 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。

  A . 红外线辐射 B . X射线照射 C . 加热 D . 紫外光辐射 E . 电子束扫描

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• 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。

  A . 树脂 B . 感光剂 C . HMDS D . 溶剂 E . PMMA

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• 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。

  A . 化学增强 B . 化学减弱 C . 厚度增加 D . 厚度减少

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• 曝光后烘焙，简称后烘，其对传统I线光刻胶是必需的。

  A . 正确 B . 错误

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• 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。

  A . 正确 B . 错误

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• 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

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• 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？

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• 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

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• 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。

  A . 正确 B . 错误

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• 什么是正光刻胶，负光刻胶？

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• 若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg

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• 光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。

  A . 正确 B . 错误

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• 负性和正性光刻胶有什么区别和特点？

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• 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

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• 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

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• 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

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• 31、涂胶前的打底膜是为了增强光刻胶与衬底之间的浸润性。

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• 8、涂胶前处理（加HMDS）是为了提高光刻胶粘附力的作用。

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• 基片上光刻胶的厚度对后续的曝光没有影响

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• 5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？

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