有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。

相似题目

• 芯片硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散区、（）、刻蚀区、（）、（）和抛光区。

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• 离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。

  A . 正确 B . 错误

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• 对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。

  A . 正确 B . 错误

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• 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

  A . 正确 B . 错误

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• 在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

  A . 正确 B . 错误

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• CASS工艺由三个区域组成，分别为（）兼氧区和主反应区。

  A . 沉淀区 B . 选择区 C . 接触区 D . 预反应区

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• 如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。

  A . 正确 B . 错误

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• 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

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• 光刻包括两种基本的工艺类型：负性光刻和（），两者的主要区别是所用光刻胶的种类不同，前者是（），后者是（）。

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• 什么是正光刻胶，负光刻胶？

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• 若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg

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• 光刻和刻蚀的目的是什么？

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• 光刻区使用黄色荧光灯照明的原因是，光刻胶只对特定波长的光线敏感，例如深紫外线和白光，而对黄光不敏感。

  A . 正确 B . 错误

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• 微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

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• 光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。

  A . 正确 B . 错误

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• 负性和正性光刻胶有什么区别和特点？

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• 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？

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• 例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。

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• 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

  A . 刻蚀速率 B . 选择性 C . 各向同性 D . 各向异性

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• 解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？

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• 46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。

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• 3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。

  A．灵敏度 B．分辨率 C．粘附性 D．抗蚀性

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• 4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？

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• 5、正性光刻胶与负性光刻胶的显影有什么不同？

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