在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。

相似题目

• 在集成电路工艺中，光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是（）。

  A . 刻蚀 B . 氧化 C . 淀积 D . 光刻

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• 对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。

  A . 正确 B . 错误

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• 随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以形成一个凹槽，然后淀积（）来覆盖其上的图形，再利用（）把铜平坦化至ILD的高度。

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• 光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。

  A . 正确 B . 错误

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• 超大规模集成电路需要光刻工艺具备的要求有（）。

  A . 高分辨率 B . 高灵敏度 C . 精密的套刻对准 D . 大尺寸 E . 低缺陷

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• 集成电路中的元件是用（）的工艺在同一块硅片上大批制造的，所以其性能比较一致。

  A . 特殊 B . 专用 C . 相同 D . 不同

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• 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是正性光刻胶。

  A . 正确 B . 错误

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• 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？

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• 有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散区。

  A . 正确 B . 错误

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• 若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg

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• 光刻和刻蚀的目的是什么？

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• 投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。

  A . 正确 B . 错误

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• 光刻工艺分为哪些步骤？

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• 通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

  A . 光刻胶 B . 衬底 C . 表面硅层 D . 扩散区 E . 源漏区

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• 微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

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• 光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片上。

  A . 正确 B . 错误

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• 晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。

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• 覆铜板是用（）制造印刷电路板的主要材料。所谓覆铜板，全称为覆铜箔层压板，就是经过粘接、热挤压工艺，使一定厚度的铜箔牢固地附着在绝缘基板上的板材。铜箔覆在基板一面的，叫做（）；覆在基板两面的称为双面覆铜板。

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• 金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。

  A . 刻蚀速率 B . 选择性 C . 各向同性 D . 各向异性

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• 集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。简而言之，这些操作可以分为四大基本类：薄膜制作、刻印、刻蚀和掺杂。

  A . 正确 B . 错误

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• 46、光刻工艺流程：打底膜→ →前烘 →曝光→显影→坚膜→刻蚀→去胶。

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• 3、哪个是表征光刻精度的性能指标，它不仅与光刻胶本身有关，还与光刻工艺条件和操作技术等因素有关（）。

  A．灵敏度 B．分辨率 C．粘附性 D．抗蚀性

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• 4、在半导体制造工艺的光刻工艺中，带有感光胶薄膜的硅片经过曝光后需要进行“曝光后烘焙”这道工序，“曝光后烘焙”的主要目的是为了什么？

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