三极管工作在截止状态时，集电结、发射结构正偏。
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晶体三极管发射结加正偏压、集电结加正偏压时，工作在截止区，具有开关特性。
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三极管的发射结正偏、集电结反偏时，则三极管所处的状态是（）
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三极管起电流放大作用的外部条件是：发射结正偏，集电结（）。
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当发射结和集电结均正偏时，三极管工作在（）状态。
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晶体三极管截止区的特点是：发射结、集电结均处于正偏状态。
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晶体三极管发射结正偏、集电结反偏时，具有开关特性。
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三极管工作在饱和状态时，发射极、集电极均正偏。
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如果晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏，当基极电流增大时，将使晶体三极管（）。
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晶体三极管饱和区的特点是:集电结处于正偏，发射结也处于正偏状态。
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晶体三极管放大工作区的特点是：发射结反偏，集电结正偏，具有放大电的作用。
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三极管共发射极放大电路中，为保证三极管放大状态，发射结反偏，集电结正偏。
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测量半导体三极管的发射结与集电结，如均为正偏，则它工作在（）区；如皆为反偏，则它工作在（）区。
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三极管工作在放大状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。
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三极管的发射结正偏、集电结正偏时，三极管处于放大状态。
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三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
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三极管工作在放大状态的外部条件是，发射结正偏，集电结反偏 。
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三极管处于截止状态时( )。<br/>A.发射结正向偏置，集电结反向偏置<br/>B.发射结反向偏置，集电结反向偏置<br/>C.发射结正向偏置，集电结正向偏置<br/>D.发射结反向偏置，集电结正向偏置<br/>
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三极管工作在放大状态时，其内部两个PN结应满足发射结 ，集电结 。
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3.处于截止状态的三极管，其工作状态为（）。 A.发射结正偏，集电结反偏 B.发射结反偏，集电结反偏 C.发射结正偏，集电结正偏 D.发射结反偏，集电结正偏
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三极管的输入输出曲线发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在（）区的外部条件
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晶体管工作在放大状态的外部条件是发射结反偏且集电结正偏。
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三极管放大作用的外部条件为：发射结正偏，集电结反偏。（)
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测量半导体三极管的发射结与集电结，如均为正偏，则它工作在（)区;如皆为反偏，则它工作在（)区。
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26、晶体三极管工作在截止区时，发射结和集电结均为 。