硅二极管的导通电压是0.7V()
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硅二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
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硅二极管的正向导通电压一般是()V。
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晶体二极管的伏安特性可简单理解为(),()。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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硅二极管的导通电压是0.7V()
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二极管的导通电压都是0.7V。
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硅二极管正向导通电压为0.6~0.8V。
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晶体二极管的()特性可简单理解为正向导通,反向截止的特性。硅晶体三极管发射结的导通电压约为(),锗晶体三极管发射结的导通电压约为()。
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硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V。
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电路如图所示,二极管VD1、VD2用恒压降模型,正向导通电压均为0.7V,假如输入端uA=3V,uB=0V,求uy=( )Vhttp://image.zhihuishu.com/zhs/onlineexam/ueditor/201812/ca19168d0a6f42979826ec9c74c58ff9.png
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写出图 Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压 UD=0.7V。0a00c75dcba723c4c3aa38abc4a0a251.PNG
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12在如图所示稳压二极管电路中,已知UZ1=7V,UZ2=3V,两管正向导通电压均为0.7 V,该电路输出电压为多大?( )。9ac8a4669093d70d67d259ec87ba5a0f.gif
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图中两个二极管的导通电压为0.7V,请判断VD1、VD2是导通还是截止?http://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/f038304d2494d5d5326df3ea6918c277.jpg
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下图所示电路中二极管的导通电压均为0.7V,当时,可以判断出( )4838130a44e69572a5b79e9cdb44b941.png44a4a1fda6292e7b5c4b013e934e876c.png26ce3d23500827fa4de8079e89440c18.png
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电路如图所示,V,其中二极管导通电压为0.7伏,VREF=3V,如果使用横压降模型分析,vo的最大电压是()8685cf534020365be160df71de251b01.PNG/ananas/latex/p/509350
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晶体二极管的导通电压为0.7V。此题为判断题(对,错)。
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硅元素二极管的导通电压约为();锗元素二极管的导通电压约为();
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电路如图1-13(a)所示,已知vi=5sinωtV,二极管导通电压VD(on)=0.7V。试画出vi与vO的波形,并标出幅值。
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三极管如果有基极电流的话,其BE极电压必须大于二极管的导通电压,如果是常用的硅三极管,这个导通电压大约是()伏。
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鉴别硅管和锗管时,可用数字万用表的二极管挡直接进行测量判断。硅管为0.7V左右;锗管为V左右()
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晶体三极管处在正常放大状态时,硅管发射结的导通电压约0.7V,锗管发射结的导通电压约0.3V()
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设图8.2.17中各集成运放的最大输出电压+U<sub>OPP</sub>=±12V,稳压管的稳定电压U<sub>Z</sub>=6V,稳压管和二极管的正向导通电压U<sub>0</sub>=0.7V。
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电路如图P1.3所示,已知u<sub>i</sub>=5sinωt(V),二极管导通电压U<sub>D</sub>=0.7V.试画出u<sub>i</sub>与u<sub>0</sub>的波
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硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V,锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
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1、三极管如果有基极电流的话,其BE极电压必须大于内部二极管的导通电压,如果是常用的硅三极管,这个导通电压大约是()伏。