硅二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
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硅二极管的死区约为()V左右。
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硅二极管的正向导通电压一般是()V。
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对于硅三极管,发射极的死区电压约为()V。
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硅二极管的死区电压一般为0.2V。
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锗材料二极管的死区电压为()V。
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硅二极管的导通电压是0.7V()
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锗二极管正向导通电压为0.6~0.8V。
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硅材料二极管的死区电压为()V。
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二极管的导通电压都是0.7V。
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硅二极管正向导通电压为0.6~0.8V。
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发光二极管的工作电流一般为及至十几()之间,正向导通电压为0.5V~3V
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硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V。
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二极管的主要特性是 ,硅二极管的死区电压约 V,锗二极度管的死区电压约 V。
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写出图 Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压 UD=0.7V。0a00c75dcba723c4c3aa38abc4a0a251.PNG
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图中两个二极管的导通电压为0.7V,请判断VD1、VD2是导通还是截止?http://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/f038304d2494d5d5326df3ea6918c277.jpg
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电路如图所示,V,其中二极管导通电压为0.7伏,VREF=3V,如果使用横压降模型分析,vo的最大电压是()8685cf534020365be160df71de251b01.PNG/ananas/latex/p/509350
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晶体二极管的导通电压为0.7V。此题为判断题(对,错)。
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发光二极管的工作电流一般为几毫安至十几毫安之间,正向导通电压为0.5V~3V。()
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三极管如果有基极电流的话,其BE极电压必须大于二极管的导通电压,如果是常用的硅三极管,这个导通电压大约是()伏。
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2、在常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约 V;
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硅二极管死区电压为()V。
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硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V,锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
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1、三极管如果有基极电流的话,其BE极电压必须大于内部二极管的导通电压,如果是常用的硅三极管,这个导通电压大约是()伏。
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