硅材料二极管的死区电压为（）V。

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• 硅二极管的死区约为（）V左右。

  A . A、0.2 B . B、零 C . C、0.5 D . D、2

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• 当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）

  A . 小阻值电阻 B . 阻值很大的电阻 C . 内部短路 D . 接通的开关

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• 二极（硅）管的死区电压为（）。

  A . 0.1V B . 0.5V C . 1V D . 1.2V

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• 硅二极管的死区电压为（）V，导通电压为（）V

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• 对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。

  A . A．0.7 B . B．0.5 C . C．0.2

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• 硅二极管的死区电压一般为0.2V。

  A . 正确 B . 错误

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• 硅二极管的过渡区电压大致在（）V。

  A . 0.1~0.2 B . 0.1~0.3 C . 0.1~0.5 D . 0.5~0.7

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• 在下列关于硅二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（）。

  A . A．0.1V／0.5V B . B．0.2V／0.5V C . C．0.5V／0.7V D . D．0.5V／1.0V

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• 锗材料二极管的死区电压为（）V。

  A . A、0.1 B . B、0.3 C . C、0.5 D . D、0.7

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• 硅二极管的死区电压一般为（）伏。

  A . 0.3 B . 0.4 C . 0.5 D . 0.6

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• 硅二极管的死区电压约为（）。

  A . 0.2 B . 0.3 C . 0.5 D . 0.7

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• 硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少？

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• 硅二极管的正向电压约为0.2V。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 硅半导体二极管的死区电压约为（）。

  A . A、0.2V B . B、1.2V C . C、0.5V D . D、1.5V

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• 硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。

  A . 0.3 B . 0.7 C . 1

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• 在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。

  A . 0.2 B . 0.3 C . 0.5 D . 0.7

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• 二极管的主要特性是 ，硅二极管的死区电压约 V，锗二极度管的死区电压约 V。

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• 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。

  A．0．6 B．0．7 C．0．8 D．1．0

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• 硅二极管和锗二极管的死区电压分别是（）伏

  A．0.2，0.7 B．0 .5， 0 2 C．0. 7 ，1

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• 硅二极管的死区电压约为__伏左右（）

  A．0.2 B．0 C．0

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• 当加在硅二极管两端的正向电压从0 V 开始逐渐增加时,硅二极管（）

  A．立即导通 B．到０ ． ３Ｖ才开始导通 C．超过死区压才开始导通 D．不导通

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• 在下列关于硅二极管“死区电压£¯在额定电流范围内的正向管压降”数据中，合适的是（)。

  A．0.1V/0.5V B．0.2V/0.5V C．0.5V/0.7V D．0.5V/1.0V

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• 在25oC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS...

  在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确。 A．Uth≈0.525V，IS≈0.05pA B．Uth≈0.525V，IS≈0.2pA C．Uth≈0.475V，IS≈0.05pA D．Uth≈0.475V，IS≈0.2pA

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• 硅二极管死区电压为（）V。

  A．0.1 B．0.5 C．1 D．1.2

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