锗材料二极管的死区电压为()V。
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锗二极管工作在导通区时正向压降大约是(),死区电压是()。
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硅二极管的死区约为()V左右。
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二极(硅)管的死区电压为()。
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锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。
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在下列关于锗二极管“死区电压/在额定电流范围内的正向管压降”数据中,合适的是()。
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硅二极管的死区电压为()V,导通电压为()V
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对于硅三极管,发射极的死区电压约为()V。
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半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。
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硅二极管的死区电压一般为0.2V。
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锗二极管正向导通电压为0.6~0.8V。
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锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。
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硅二极管的死区电压一般为()伏。
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硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?
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硅材料二极管的死区电压为()V。
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锗二极管的正向电阻很大,正向导通电压约为0.2V。()
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二极管的主要特性是 ,硅二极管的死区电压约 V,锗二极度管的死区电压约 V。
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普通锗二极管的死区电压为( )。
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硅二极管和锗二极管的死区电压分别是()伏
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锗材料,低频小功率三极管的型号为()。(晶体管)
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3、硅管的死区电压为0.2V,导通压降为0.6~0.7V;锗管的死区电压为0.5V,导通压降为0.2~0.3V。
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锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
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在25oC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流IS...
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硅二极管死区电压为()V。
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硅二极管正向导通电压约为0.2~0.3V,锗二极管正向导通电压约为0.6~0.8V。()
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