片式晶体管的最大功率为（）。
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片式熔断器共有（）种规格，最大额定电流为（）
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丙类高频功率放大器输出功率为5W，效率为55%时，问晶体管的集电极损耗为多少？若用24V的直流电源供电，它输出多大的直流电流？
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从结构上说，单叶片式摆动气缸最大摆动角度为（）。
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插片式熔断器的塑料外壳为黄色，代表其允许通过最大电流为（）A。
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晶体三极管的主要参数有（），集电极最大允许耗散功率。
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晶体管的功率为（）
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功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定：集电极-发射级允许最高击穿电压线，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。
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片式电位器的额定功率一般为（）。
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电阻R*10K档，它的最大输出电流仅为（），不会过耗。电流小，输出功率也小，不会损坏晶体管。
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较大功率的起动机多采用摩擦片式离合器。
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设功率放大电路的输出功率为P，电源供给该电路的功率为P，功率晶体管消耗的功率为Pr，则该放大电路的效率等于（）。
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为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ）
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晶体硅电池组件的主要电气性能有 开路电压（Voc） 、 短路电流（Isc） 、（峰值功率电流(Im)）、（峰值功率电压(Vm)）、 峰值功率(Pm ) 、（填充因子( )）、（转换效率（Eff））、系统最大工作电压。
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晶体硅电池组件的主要电气性能有开路电压Voc、短路电流Isc、峰值功率电流(Im)、峰值功率电压(Vm)、峰值功率(Pm)、填补因子(FF)、变换效率Eff、系统最大工作电压。（）
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13、高频优值定义为功率增益与 的乘积，该值越大，晶体管放大能力 （）。
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在图8. 1（教材图8.1.2)中,设Ucc=15V,RL=8Ω,输人正弦信号足够大，晶体管的Pcm、U（BR)ICE0和ICM 足够大。在不考虑交越失真时，试求:（1)在理想情况下，最大的输出功率 ;（2)若T1、T2的饱和压降|UCES|=1V,此时的输出功率P。和效率η;（3)在理想情况下，输人电压有效值Ui=5V时的输出功率P0。
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从结构上说，单叶片式摆动气缸最大摆动角度为（）。 A. 60度 B. 120度 C. 30度 D. 360度
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如图所示的功率放大电路处于()类工作状态;其静态损耗为();电路的最大输出功率为();每个晶体管的管耗为最大输出功率的()倍。
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已知某理想乙类功率放大电路晶体管的PT1m=2W，则该放大电路的最大输出功率可达 。
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锗材料，低频小功率三极管的型号为（）。（晶体管）
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3、3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U（BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。
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3DG系列晶体管为高频小功率晶体管。（)
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为防止过电压和抑制功率晶体管的du/dt，对功率晶体管需加接驱动电路。（)
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2、为使甲类功率放大电路的输出电压峰峰值最大，晶体管的静态工作点Q应_______。