3DG系列晶体管为高频小功率晶体管。（)
相似题目
-
丙类高频功率放大器输出功率为5W，效率为55%时，问晶体管的集电极损耗为多少？若用24V的直流电源供电，它输出多大的直流电流？
-
高频调谐功率放大器中，晶体管的内部特性指的是（）时，晶体管的输出特性和转移特性。
-
高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结（）。
-
高频调谐功率放大器中，当频率升高时，晶体管的uces的变大。
-
高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于（）区。
-
已知放大电路中的一只低频小功率晶体管的静态基极电流为0.047mA，则其微变等效输入内阻为（）。
-
高频调谐功率放大器在静态时，晶体管处于线性放大区。
-
晶体管3DG12B组成谐振功率放大器，已知电源电压Ec=18V，Ucm=16V，Icmax=236.5mA。电压利用系数ζ=0.94，gcr=0.219S，θ=80°，且放大器工作于临界状态。试求：Ps，Po，Pc，ηc？
-
高频功率放大器失谐时，输出功率将减小，晶体管功耗将增大，效率将降低。
-
高频功率放大器常工作在甲类，因而晶体管本身就是非线性器件。（）
-
KGLF11系列晶闸管同步电动机励磁装置的触发电路采用带小功率晶闸管放大的单结晶体管触发电路（）
-
用万用表欧姆档测量3DG6型晶体管的穿透电流应该用（）档为好。
-
国产晶体管3DG系列表示（）。
-
在高频调谐功率放大器调试过程中，为保证晶体管能安全工作，往往将输出功率减小一半，试问在保持电源电压不变的情况下，采用（）输入信号的方法，将减小输出。
-
高频调谐功率放大器电路中晶体管的发射结正向偏置。
-
硅NPN型高频小功率极管3DG4D，其中G代表（）。
-
硅NPN型高频小功率三极管3DG4D，其中从左向右第一位D代表（）。
-
高频调谐功率放大器中，晶体管的外部特性指的是有载时，晶体管的输出特性和转移特性。
-
型号为3DG21的半导体三极管，是硅材料的NPN型高频小功率管。
-
13、高频优值定义为功率增益与 的乘积，该值越大，晶体管放大能力 （）。
-
绝缘栅双极晶体管（IGBT）开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗低，为电压驱动，驱动功率大（）
-
锗材料，低频小功率三极管的型号为（）。（晶体管）
-
3、3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U（BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。
-
2CK表示是（);2CZ表示是（);2DW表示是（);3AX表示是（)材料,（)型低频小功率管;3DG表示是（)材料,（)型高频小功率管。