1、3.随着温度升高，太阳能电池材料的禁带宽度将会（）。

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• 常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。

  A . A.1.12 B . B.2.14 C . C.1.42 D . D.0.92

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• 绝缘材料的绝缘电阻随着温度的升高而（）金属导体的电阻却是随着温度的升高而（）。

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• 如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。

  A . 大于 B . 等于 C . 小于 D . 有效的复合中心

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• 禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。

  A . 越不容易受 B . 越容易受 C . 基本不受

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• 太阳能单一结电池片可以分为（）；（）、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。

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• 氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。

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• 通过采用MQW结构，电流值可用（）和（）控制，电压可用本体上的禁带宽度控制，因此即使是单电池片，其转换效率也有望达到40%。

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• CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值

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• 一般绝缘材料的绝缘电阻随着温度的升高而（），金属导体的电阻随着温度的升高而（）。

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• 一般绝缘材料的绝缘电阻随着温度的升高而减小，而金属导体的电阻却随着温度的升高而增大。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 材料力学性能会随着温度的升高而发生显著的变化，一般表现为强度随着温度的升高而（）。

  A . 升高 B . 降低 C . 保持不变

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• 以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？

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• 太阳能电池的光电转换效率随温度升高而（）。

  A、升高 B、降低 C、不变 D、不确定

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• 半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。

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• 随着环境温度的升高，电池的浮充电压亦随着升高。

  A . 正确 B . 错误

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• 非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（）

  A . 1.6--1.7eV B . 1.5--1.6eV C . 1.7--1.8eV D . 1.1--1.2eV

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• 一般绝缘材料的绝缘电阻随着温度的升高而减小，而金属导体的电阻随着温度的升高而增大。（）

  A . 正确 B . 错误

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• 阀控式铅酸蓄电池的浮充电压随着工作环境温度的变化而变化，温度每升高1度，其浮充电压应该（）。

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• 胶辊的温度升高与其接触宽度成线性关系，胶辊温度约每升高3°C，接触宽度大约增加（）。

  A . A、0.5mm B . B、1.0mm C . C、2.0mm

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• 为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

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• 一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N

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• 硅的禁带宽度比锗大，所制作的器件比锗耐高温。

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• 7、绝缘体和半导体的能带类似，但绝缘体的禁带宽度一般要（）半导体的禁带宽度。

  A．大于 B．等于 C．小于 D．短于

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• 一般绝缘材料的绝缘电阻随着温度的升高而减小，而金属导体的电阻随着温度的升高而增大（）

  是 否

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