半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
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常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
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热电阻是利用（）成一定函数关系的金属导体或半导体材料制成的温度传感器。
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解释重掺杂半导体使禁带变窄的原因。
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导体对电流的阻碍作用叫（）。电阻用字母（）表示，单位为欧，符号为Ω。电阻也常用兆欧（MΩ）做单位，它们之间的关系为：1kΩ=（）Ω，1MΩ=（）Ω。导体的电阻由导体的材料、横截面积和长度决定。
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导体或半导体材料当所处环境温度发生变化时，会使其电阻值发生变化，这种现象称为（）
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为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
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如在半导体的禁带中有一个深杂质能级位于禁带中央，则它对电子的俘获率（）空穴的俘获率。
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禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易，一般半导体材料的禁带宽度越宽，所制作的半导体器件中的载流子（）外界因素（如高温和辐射等）的干扰而产生变化。
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半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。
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为了满足半导体器件对金属材料的低电阻连接以及可靠的要求，金属材料应该满足（）。
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任何导体都有电阻，电路的电阻是主要由该电路的导电材料的（）和几何尺寸决定的。
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以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？
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N型半导体的费米能级处于禁带（）。
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制造电子器件的基本半导体材料是圆形单晶薄片，称为硅片或（）。在硅片制造厂，由硅片生产的半导体产品，又被称为（）或（）。
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LED的发光波长是由形成P-N结的半导体材料决定的，请问首先被制造出来的是什么样的LED（）。
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为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。
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金属导体的电阻是由材料的性质决定的，与它的长短、粗细、和温度无关。
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半导体是依赖于缺陷进行工作的材料，它的性能在很大程度上取决于材料的纯度。用于光伏发电的硅材料对纯度一般要达到
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一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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【判断题】通常情况下,绝缘体禁带宽度大于半导体
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关于应变式压力计结构，根据选用的材料或参杂多少的不同，半导体灵敏度系数可做成（）
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光催化是当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后，电子从价带跃迁到导带，产生了电子－空穴对，电子具有（)，空穴具有（)。
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受到外部压力或拉力时,半导体材料的电阻变化主要是由的变化引起的;[难度等级C
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7、绝缘体和半导体的能带类似，但绝缘体的禁带宽度一般要（）半导体的禁带宽度。
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