非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（）

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• 1954年，美国科学家首次在贝尔实验室制成了单晶硅太阳能电池，其光电转换效率为（）。

  A . A、3.5% B . B、4.5% C . C、5.5% D . D、6.5%

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• 用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

  A . A.低于 B . B.等于或大于 C . C.大于

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• 常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。

  A . A.1.12 B . B.2.14 C . C.1.42 D . D.0.92

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• 目前单晶硅太阳电池的实验室最高转换效率为（）

  A . 10.5% B . 24.7% C . 15% D . 20%

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• 为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。

  A . 正确 B . 错误

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• 存在具有最低禁带宽度εɡ的Hω-QVOC的损失，此损失叫做（）。

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• 太阳能单一结电池片可以分为（）；（）、双异质性结构、倾斜禁带宽度型、异质结构、短键位垒型、量子阱结构超晶格结构、Si以及Ge基片上的薄膜电池片上。

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• 氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。

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• 通过采用MQW结构，电流值可用（）和（）控制，电压可用本体上的禁带宽度控制，因此即使是单电池片，其转换效率也有望达到40%。

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• CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值

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• 以硅的本征激发为例，说明半导体能带图的物理意义及其与硅晶格结构的联系，为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度？

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• 多晶硅栅的宽度通常是整个硅片上最关键的CD线宽。

  A . 正确 B . 错误

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• 单晶硅电池的制造工艺主要流程为（）

  A . 表面处理→制作绒面→扩散制结→制作电极→制作减反射膜 B . 表面处理→扩散制结→制作绒面→制作减反射膜→制作电极 C . 表面处理→制作绒面→扩散制结→制作减反射膜→制作电极 D . 表面处理→制作减反射膜→制作绒面→扩散制结→制作电极

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• 半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。

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• 为了实现光电转换效率高的太阳能电池，太阳光谱的整合是必要的，太阳能电池材料的禁带宽度Eg为（）左右，认为是最合适的，Eg为（）的GaAS及1.35ev的InP等应该是合适的。

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• 产品化的非晶硅太阳能电池光电转换效率为（）。

  A . 5%∽8% B . 8%∽11% C . 11%∽13% D . 13%∽15%

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• 硅的禁带宽度比锗大，所制作的器件比锗耐高温。

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• 【判断题】通常情况下,绝缘体禁带宽度大于半导体

  A．Y.是 B．N.否

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• 目前单晶硅太阳能电池的实验室最高效率为，由澳大利亚新南威尔大学创造并保持（）

  A．17.8% B．30.5% C．20.1% D．24.7%

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• 以玻璃为衬底的非晶硅薄膜太阳能电池组件制备工艺中四次用到激光切割，请简要说明每次激光切割的目的是什么？

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• 单晶硅电池片的功率大概为2.4W

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• 7、绝缘体和半导体的能带类似，但绝缘体的禁带宽度一般要（）半导体的禁带宽度。

  A．大于 B．等于 C．小于 D．短于

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• 1、3.随着温度升高，太阳能电池材料的禁带宽度将会（）。

  A．变宽 B．变窄 C．不变 D．不确定

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