存在具有最低禁带宽度εɡ的Hω-QVOC的损失，此损失叫做（）。
相似题目
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一个2.4H的电感器，在多大频率时具有1500Ω的感抗？
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用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。
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常温下本征半导体硅的禁带宽度为（）eV。
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某系统的系统函数为H（s），若同时存在频响函数H（jω），则该系统必须满足条件（）。
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为了使电子从价带激发到导带，入射光子的能量E0应该大于禁带宽度Eg。
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氢化非晶硅的禁带宽度可调，含氢量增加，禁带宽度（）；在非晶硅中掺入Ge元素，其禁带宽度（）。
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通过采用MQW结构，电流值可用（）和（）控制，电压可用本体上的禁带宽度控制，因此即使是单电池片，其转换效率也有望达到40%。
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CIS的禁带宽度为（），是与太阳能电池最适宜的禁带宽度1.4ev偏小的值
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半导体材料的（）（或禁带宽度或Eg）决定半导体材料对太阳光的吸收和光伏电池的光伏能量转换效率。
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非晶硅太阳能电池禁带宽度通常为（）
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若序列x（n)=ε（n)-ε（n-5)，求此序列的离散时间傅里叶变换X（ejΩ)。
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单效蒸发器将F=2000kg/h，ω0=10%（质量分数)的原料液浓缩到35%（质量分数)，料液沸点进料，忽略热损失。蒸发器的
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RLC串联电路中R=1Ω，L=0.01H，C=1μF。求：（1)谐振频率ω<sub>0</sub>;（2)谐振电路品质因数Q;（3)通频带的宽度BW。
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液相色谱的H-u曲线与气相色谱的H-u一样，流速都存在一个最低点。 （)
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频谱函数F（jω)=0.5[ε（ω+2)- ε（ω-2)]的原函数f（t)= 。
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【判断题】禁带是不允许电子稳定存在的区域。
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一、单项选择（每题4分） 1、从能带角度分析绝缘体、导体和半导体，以下说法错误的是（)。 A. 绝缘体一般具有较大的禁带宽度 B. 绝缘体的导电性能差 C. 半导体的禁带宽度大于绝缘体，而小于导体 D. 一般来讲，材料的禁带宽度越大，导电性越差 2、若半导体材料的费米能级高于本征费米能级，则该半导体具体为（)。 A. 本征半导体 B. P型半导体 C. N型半导体 D. 杂质半导体 3、当PN结加反向偏压时，它的耗尽层宽度 ，势垒高度 （)。 A. 变宽，变小 B. 变窄，变大 C. 变窄，变小 D. 变宽，变大 4、 对于单边突变硅n+/p结，耗尽区主要分布在（） A. n+区 B. p区 C. 中性区 D. 扩散区 4、对平衡状态下的PN结，下列说法错误的是（） A. 它的空间电荷区也叫耗尽区 B. 耗尽区存在自由载流子，非电中性 C. 中性区电场强度为零 D. 空间电荷区外部区域称为中性区 5、PN结势垒区电势最低的位置是（）。 A. 靠近P区的势垒区边界 B. 靠近N
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硅的禁带宽度比锗大，所制作的器件比锗耐高温。
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【判断题】通常情况下,绝缘体禁带宽度大于半导体
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光催化是当半导体氧化物纳米粒子受到大于禁带宽度能量的光子照射后，电子从价带跃迁到导带，产生了电子－空穴对，电子具有（)，空穴具有（)。
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7、绝缘体和半导体的能带类似，但绝缘体的禁带宽度一般要（）半导体的禁带宽度。
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1、3.随着温度升高，太阳能电池材料的禁带宽度将会（）。