5、以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了 在基区中的运动，该载流子做 运动。（）
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在N型材料的PN结光伏效应中，光生电动势与内建电场的方向（）。
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NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。
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无论是NPN型管还是PNP型管，它们内部均含有三个区，即发射区、基区和（）。
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在NPN型晶体管放大电路中，如果集电极与基极短路，则（）
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NPN型三极管的基区中多数载流子是电子
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用直流电压表测量NPN型晶体管电路，晶体管各极对地电压是仉=4．7v，以=4V，阢=4．3V，则该三极管处于（）状态。
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如何用万用表判定晶体管是PNP或NPN型？
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NPN型晶体管处于放大状态时，管脚电位应有（）。
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晶体三极管截止的条件是（NPN型）（）。
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NPN型晶体管处于放大状态时，各级的电位关系是（）。
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在电气原理图中，NPN型晶体三极管的代表符号是（）。
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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
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在NPN型晶体管放大电路中，如果基极与发射极短路，则（）。
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用直流电压表测量某正常工作的放大电路中的一NPN型晶体三极管，各电极对地的电位是：U1=3V，U2=5.5V，U3=3.7V，则该三级管各管脚的名称是（）
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对调整交流发电机调节器的调整电压，以JFT201型晶体管调节器为例：调整时用万用表的直流电压挡，如果调整电压偏高或偏低，可适当增减某个电阻的阻值，这个电阻是电路中的R4。
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晶体三极管（NPN型）截止的条件是什么？
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在足够能量的光照条件，晶体硅太阳电池在P-N结内建电场的作用下，N区的（）向P区运动.。
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pn结中内建电场导致的电子和空穴漂移电流方向是一致的，但二者的扩散电流方向相反。
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17、太阳能电池短路状态时，在耗尽区内的光生载流子受内建电场影响而分离，电子向P区漂移，空穴向N区漂移，产生由P区流向N区的漂移电流。
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（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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三极管的结构NPN型和PNP型晶体管的区别是（）
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2、NPN型晶体管饱和导通后，晶体管的输出电压等于（）。
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有人说，因为在PN结中存在内建电场，所以将一个二极管的两端短路，在短路线中将由于此电场的存在而流过电流此说是否正确？为什么？
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晶体管的类型分成PNP和NPN型。（)
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