NPN型三极管的基区中多数载流子是电子
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在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。
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P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。
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N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
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N型半导体多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。（）
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晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。
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当二极管加正向电压时，二极管将有很大的正向电流流过，这个正向电流是由P型和N型半导体中多数载流子的扩散运动产生的。
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P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
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N型半导体的多数载流子是电子，因此N型半导体带负电。
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NPN型三极管的发射区中多数载流子是电子
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N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。
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三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。
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晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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在N型半导体中，电子是少数载流子，空穴是多数载流子。（）
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N型半导体中的多数载流子是电子，因此，N型半导体带负电。
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三极管的基区掺杂浓度最高，集电区的面积最大。（）
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因为N型半导体的多数载流子是自由电子，所以N型半导体带负电。
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p型半导体中（)是多数载流子。A、空穴B、电子C、离子
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对半导体而言,其正确的说法是（).（1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2)y型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.（3)P型半导体和N型半导体本身都不带电.
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N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。（)
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7、在N型半导体中参与导电的多数载流子是自由电子。
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5、以NPN型漂移晶体管为例，基区内建电场的存在加速了 在基区中的运动，该载流子做 运动。（）
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10、NPN型三极管的发射区发射电子，集电区收集电子。
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6、在P型半导体中空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。
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