三极管的基区掺杂浓度最高，集电区的面积最大。（）
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三极管的内部结构是由基区、（）区、集电区及发射结和集电结组成的。
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晶体三极管的电流放大作用就是利用空穴在基区的扩散与复合这一矛盾，使扩散运动大大超过复合。
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晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
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三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。
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三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为（）。
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晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
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在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）
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NPN型三极管的基区中多数载流子是电子
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晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。
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三极管的集电区的作用是（）。（
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为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区搀杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、集电结反向偏置。
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三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。
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为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。
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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
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晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。
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当外部供电情况不同时，晶体三极管讲工作在三种不同的状态中，输出特性分为三个区：饱和区、集电区、放大区。
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为了使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度______；基区宽度______；集电结结面积比发射结结面积______；其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用，能否起放大作用？
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晶体管的基区很薄且杂质浓度很高。（)
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15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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一般情况下，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）
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10、NPN型三极管的发射区发射电子，集电区收集电子。
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