一般情况下，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）
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三极管的内部结构是由基区、（）区、集电区及发射结和集电结组成的。
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晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
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每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
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三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为（）。
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在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）
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晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。
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三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。
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为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。
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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
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晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。
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三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。
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三极管的基区掺杂浓度最高，集电区的面积最大。（）
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室温下，常见掺杂Si或Ge晶体的杂质都是全电离的。
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◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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在一定温度下，半导体热平衡时载流子浓度积等于本征载流子浓度的平方，而与掺杂无关。
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（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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为了使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度______；基区宽度______；集电结结面积比发射结结面积______；其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用，能否起放大作用？
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1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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1、为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
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20、P+N结中的势垒电容大小基本只受N区一侧掺杂浓度影响
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15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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