室温下，常见掺杂Si或Ge晶体的杂质都是全电离的。
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晶体中渗入杂质或由较为纯净的晶体形成了非整比化合物都属于化学缺陷。
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掺杂的杂质和沾污的杂质是一样的效果。
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导电性能介于导体和绝缘体之间的物质如硅（Si）、锗（Ge）等称为（）。
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C和Si都是ⅣA族元素，所以CO2和SiO2都是分子晶体。()
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如果半导体中存在多种杂质，在通常情况下，可以认为基本上属于杂质饱和电离范围，其电阻率与杂质浓度的关系可近似表示为（）.
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在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。
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节气门开度最大时，在任何一个转速下的发动机工况，都是全负荷工况。
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晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。
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钢中最常见的杂质元素有S、Mn、Si、P等，其中S和Mn是有益元素。
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使用ASSET规划软件做某区域的覆盖预测时，发现做出的覆盖预测图都是全向站，但实际上在“Database---site”菜单下的查看到站点信息不全都是全向站的（有一部分定向基站），不可能的原因是：（）
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钢中最常见的杂质元素有S、Mn、Si、P等，其中（）是有益元素。
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半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于（）结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成（）和纤锌矿等两种晶格结构。
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一般情况下，钢中的杂质Si、Mn是有益元素，S和P是有害元素。
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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试从图4-14求室温时杂质浓度分别为10<sup>15</sup>，10<sup>16</sup>，10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>的p型和n型Si样品的空穴和电子迁移率，并分别计算它们的电阻率。再从图4-15分别求它们的电阻率。
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室温下，下列各组离子在指定溶液中一定能大量共存的是[ ]饱和氯水中B．溶液中 C．pH=13的溶液中 D．由水电离室温下，下列各组离子在指定溶液中一定能大量共存的是 [ ]饱和氯水中 B．溶液中 C．pH=13的溶液中 D．由水电离 溶液中
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C、Si、Ge、Sn、Pb都是第五主族元素.试用钻穿效应解释C、Si呈四价,Ge、Sn有二价和四价,但以四价较稳定.Pb有二价也有四价,但以二价较稳定的原因.
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1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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1、杂质的扩散掺杂两种方式： 和 。 2、实际扩散工艺采用两步扩散工艺，结合两种扩散工艺，分为 和 ，预淀积是惰性气氛下的 扩散，目的是 。再分布是惰性气氛下的 扩散，将窗口杂质再进一步向片内扩散，目的是 。 3、硅中点缺陷有 、 和 。 4、氧化增强与硅表面的取向有关，在干氧氧化时， 晶面的氧化增强的效果最强。 5、（判断）硅经扩散工艺掺入的杂质均已完全电离，无需再退火激活，这种说法是否正确。
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一般情况下，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）
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6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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2、在低于室温的条件下，杂质半导体的载流子浓度主要由 提供？
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