15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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水蒸汽、它的灭火原理在于降低燃烧区的氧含量，当蒸汽在燃烧区的浓度超过（）%时，即可将火熄灭。
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晶体三极管的电流放大作用就是利用空穴在基区的扩散与复合这一矛盾，使扩散运动大大超过复合。
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晶体管内部由3层半导体材料构成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别称为发射极和集电极。
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每一类晶体管都是由基区、发射区和（）三个不同的导电区域构成的。
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在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）
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在GSQE评审中同时发现A区和D区有开裂，但D区的开裂只扣15分，远没有A区的开裂扣100分严重，故只需要优先控制和解决A区开裂质量缺陷，D区开裂不需马上控制。
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晶体三极管截止区的特点是：发射结、集电结均处于正偏状态。
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晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。
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为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。
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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
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晶体三极管饱和区的特点是:集电结处于正偏，发射结也处于正偏状态。
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晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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晶体三极管饱和区的特点是发射结和集电结处于反偏状态。
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体管分为三层分别为：发射区、基区和（）。
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晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。
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额唇基区的变化主要发生在（）、（）。
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三极管的基区掺杂浓度最高，集电区的面积最大。（）
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水蒸汽、它的灭火原理在于降低燃烧区的氧含量，当蒸汽在燃烧区的浓度超过()%时，即可将火熄灭。
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（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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为了使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度______；基区宽度______；集电结结面积比发射结结面积______；其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用，能否起放大作用？
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三极管的输入输出曲线发射结正偏，集电结反偏是晶体管工作在（）区的外部条件
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晶体管的基区很薄且杂质浓度很高。（)
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一般情况下，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）
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