每一类晶体管都是由基区、发射区和()三个不同的导电区域构成的。
相似题目
-
三极管的内部结构是由基区、()区、集电区及发射结和集电结组成的。
-
直流电弧由阴极区、阳极区和()三个不同的区域组成。
-
晶体管内部由3层半导体材料构成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别称为发射极和集电极。
-
三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的,故发射极和集电极可以互换使用。
-
三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结,集电区和基区之间的PN结称为()。
-
晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体(N型或P型)构成,所以发射极和集电极可以相互调换使用。
-
无论是NPN型管还是PNP型管,它们内部均含有三个区,即发射区、基区和()。
-
在一类动火区和固定动火区进行动火作业,都需要办理动火作业安全许可证。
-
现代蓄热式焦炉基本上都是由炭化室、燃烧室、斜道区和蓄热室组成的。
-
晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、放大区和()三个区域。
-
在晶体管的输出特性中有三个区域分别是()、放大区和()。
-
根据炉内温度不同,高炉内还原过程划分为三个区:低于()的块状带是直接还原区;()是间接还原区和直接还原区;高于()的是间接还原区。
-
晶体三极管有NPN和PNP之分,它们有二个PN结。按输入特性分为三个区:即放大区、截止区和饱和区。
-
晶体三极管的基区之所以做得很薄,其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
-
晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
-
体管分为三层分别为:发射区、基区和()。
-
三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
-
三极管内部由三层半导体材料组成,分别称为发射区、基区和集电区,结合处形成两个PN结,分别为发射结和()。
-
太阳电池前面和背面的电极和接触,以及材料本身具有一定的电阻率,基区和顶层都不可避免的要引入附加电阻,它们的总效果可表示为()。
-
(1)若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示,请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE=5×10(^18)/CM(^3),基区掺杂浓度NB=1×10(^16)/CM(^3) 发射区宽度XE=0.20μm, 基区宽度XB=0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM(^2)/S,基区少子扩散系数DB=25CM(^2)/S 发射区少子寿命τE0=1×10(^-7)/S, 基区少子寿命τB0=5×10(^-7)/S (2)实际生产中,工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管,如果不考虑其他参数的分散性,只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间,请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
-
晶体管有3个不同的导电区,中间是()
-
15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
-
一般情况下,晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。()
-
直流电弧由阴极区、阳极区和弧住区三个不同的区域组成。()