晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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说明费米能级的物理意义，根据费米能级位置如何计算半导体中电子和空穴浓度，如何理解费米能级是掺杂类型和掺杂程度的标志。
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迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
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硅的电阻率与掺杂浓度有关。
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三极管发射区和基区之间的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为（）。
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在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）
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晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。
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为了保证三极管的电流放大，一方面要满足内部条件即基区掺杂少厚度小，另一方面要满足外部条件即发射结正向偏置、（）。
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标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。
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晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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三极管的基区掺杂浓度最高，集电区的面积最大。（）
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扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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12、半导体的掺杂浓度越高，其费米能级的位置也越高
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◑在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于()。◑A.温度◑B.掺杂工艺◑C.杂质浓度◑D.晶体缺陷
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（1）若均匀掺杂NPN晶体管的参数如下所示，请采用理想晶体管模型计算该晶体管的注入效率、基区输运系数和共射极电流放大系数β0 发射区掺杂浓度NE＝5×10（^18)/CM（^3)，基区掺杂浓度NB＝1×10（^16)/CM（^3) 发射区宽度XE＝0.20μm， 基区宽度XB＝0.10μm 发射区少子扩散系数DE=10CM（^2)/S，基区少子扩散系数DB=25CM（^2)/S 发射区少子寿命τE0＝1×10（^-7)/S， 基区少子寿命τB0＝5×10（^-7)/S （2）实际生产中，工艺必然存在分散性。按照上述参数要求生产一批晶体管，如果不考虑其他参数的分散性，只考虑基区宽度XB分散范围在0.08μm到0.12μm之间，请计算这批晶体管共射极电流放大系数β0值的分散变化范围。
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为了使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂浓度______；基区宽度______；集电结结面积比发射结结面积______；其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用，能否起放大作用？
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离子注入掺杂的表面浓度不受固溶度限制，既可做浅结低浓度，也可做深结高浓度（）
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1. 在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 （） A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
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以下掺杂浓度，哪些可以通过扩散工艺来实现（）
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1、为了降低基极电阻，通常采用对非工作基区进行（）的掺杂。
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20、P+N结中的势垒电容大小基本只受N区一侧掺杂浓度影响
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15、制造晶体管时要求发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
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一般情况下，晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。（）
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6、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即掺杂浓度大，扩散电流大；掺杂浓度小，扩散电流小。
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