80C51含（）掩膜ROM。
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80C51中可使用的最大堆栈深度为（）。
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对正性光刻来说，剩余不可溶解的光刻胶是掩膜版图案的准确复制。
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80C51与8051的区别在于（）
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在集成电路制造工艺步骤中，光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。
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在下列单片机芯片中使用掩膜ROM作为内部程序存储器的是（）
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简述80C51单片机的寻址方式。
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不属于80C51内部结构的是（）。
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若计划用图示中掩膜版上黑色区域在硅片上制作扩散区，光刻时需要使用哪种光刻胶？为什么？并简介光刻操作流程。https://assets.asklib.com/psource/2015122710254016668.jpg
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投影掩膜版上的图形是由金属钽所形成的。
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80C51单片机的CPU为（）位。
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二元掩膜
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80C51单片机响应中断的过程是（）。
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简述80C51单片机的中断系统功能
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80C51芯片采用的半导体工艺是（）。
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金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）
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在下列单片机芯片中使用掩膜ROM作为内总程序存储器的是（）。
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当使用80C51且/EA=1，程序存储器地址大于4KB时，访问的是（）ROM。
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ROM又称掩膜只读存储器，它存储的内容（）
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80C51单片机的基本定时单位有( )。
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80C51指令按指令长度分类有( )。
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所设计MEMS器件版图上布置有对准标记用于加工时多层掩膜版间的对正。（)
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对于同样电路图形的光学曝光，既可以用正胶来实现，也可以用负胶来实现，只是掩膜不同。
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14、只读存储器ROM一般可分为：掩膜ROM、PROM、 、 四种。答案用“、”隔开。
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8、进行图像范围掩膜时，待处理图像与工作范围图像应该
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